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描述
该N沟道MOSFET具有50A的漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(on))为6.5毫欧,栅源电压(VGS)额定值达20V。低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗与温升,适合用于对效率和热管理要求较高的开关电源、电机驱动及各类直流功率转换电路中,能够支持高频操作并维持良好的电气稳定性。
商品型号
RJK03B9DPA-00#J53-HXY
商品编号
C53263095
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.139克(g)

商品参数

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参数完善中

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