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NTTFS4945NTAG-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有一定要求的场合。典型应用包括高效DC-DC转换器、电池管理系统、便携式电子设备电源路径控制以及需要高频开关操作的各类电子电路。
- 商品型号
- NTTFS4945NTAG-HXY
- 商品编号
- C53263100
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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