NTTFS4943NTAG-HXY
NTTFS4943NTAG-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备40A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为30V,导通电阻仅为5毫欧。低RDS(ON)有助于显著降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。适用于高效率电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及需要频繁开关操作的电子电路中,能够在紧凑空间内实现良好的热性能与稳定运行。
- 商品型号
- NTTFS4943NTAG-HXY
- 商品编号
- C53263102
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
参数完善中
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