NTTFS4943NTAG-HXY

NTTFS4943NTAG-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备40A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5毫欧。低RDS(ON)有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高效率电源转换、电池管理系统、便携式设备供电以及需要频繁开关操作的电子电路中，能够在紧凑空间内实现良好的热性能与稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTTFS4943NTAG-HXY

商品编号

C53263102

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.075克(g)