RJK03B9DPA-00#J5A-HXY

RJK03B9DPA-00#J5A-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流应用中维持较低温升。适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景，能够支持快速开关操作并保持良好的热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK03B9DPA-00#J5A-HXY

商品编号

C53263097

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)