RJK03M8DNS-00#J5-HXY

RJK03M8DNS-00#J5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景。器件结构支持高频开关操作，在负载点转换、电池供电设备及高效率DC-DC变换等应用中表现稳定可靠。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RJK03M8DNS-00#J5-HXY

商品编号

C53263099

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)