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描述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流(ID)和30V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至4.7毫欧,在栅源电压(VGS)高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗,提升系统效率,适用于对功率密度和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构支持快速开关特性,适合需要高效能与紧凑布局的电子系统。
商品型号
RJK0395DPA-00#J53-HXY
商品编号
C53263098
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.158克(g)

商品参数

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参数完善中

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