RJK03B7DPA-00#J53-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流(ID)为80A,漏源电压(VDSS)为30V,导通电阻(RDS(on))低至4.7毫欧,栅源电压(VGS)最大额定值为20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力,该器件在大电流工作状态下可有效降低导通损耗,适用于高效率电源转换、电机控制及各类需要高功率密度的电子系统中,能够支持高频开关操作并保持良好的热性能与电气稳定性。
- 商品型号
- RJK03B7DPA-00#J53-HXY
- 商品编号
- C53263096
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
参数完善中
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