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描述
该N沟道MOSFET的连续漏极电流(ID)为80A,漏源电压(VDSS)为30V,导通电阻(RDS(on))低至4.7毫欧,栅源电压(VGS)最大额定值为20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力,该器件在大电流工作状态下可有效降低导通损耗,适用于高效率电源转换、电机控制及各类需要高功率密度的电子系统中,能够支持高频开关操作并保持良好的热性能与电气稳定性。
商品型号
RJK03B7DPA-00#J53-HXY
商品编号
C53263096
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

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参数完善中

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