BSO083N03MSGXUMA1-HXY

BSO083N03MSGXUMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为15A，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，提升系统效率。其电气特性适用于高频开关场景，常见于电源转换、负载开关、电池管理系统以及便携式电子设备中的功率控制电路，能够支持紧凑型设计与高能效运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSO083N03MSGXUMA1-HXY

商品编号

C53263090

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)