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RJK03M6DNS-00#J5-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数，可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。
- 商品型号
- RJK03M6DNS-00#J5-HXY
- 商品编号
- C53263091
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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