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RJK03M6DNS-00#J5-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数，可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。
- 商品型号
- RJK03M6DNS-00#J5-HXY
- 商品编号
- C53263091
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
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