- 引脚图
型号：ISL9N306AD3ST-HXY品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)名称：N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
本页面提供HXY MOSFET(华轩阳电子)的ISL9N306AD3ST-HXY产品的实物图、引脚图、原理图和PCB焊盘图。ISL9N306AD3ST-HXY参考售价为0.8328元起，现货库存数量90个
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
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