STS14N3LLH5-HXY

STS14N3LLH5-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于在高电流条件下减少功率损耗，提升系统效率。适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路及高频开关应用等场景，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STS14N3LLH5-HXY

商品编号

C53263089

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.122克(g)