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STS14N3LLH5-HXY
STS14N3LLH5-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有18A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于在高电流条件下减少功率损耗，提升系统效率。适用于电源管理模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路及高频开关应用等场景，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
- 商品型号
- STS14N3LLH5-HXY
- 商品编号
- C53263089
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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