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NTMFS4744NT3G-HXY
NTMFS4744NT3G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为50A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDS(ON)为6.5毫欧，栅源电压VGS最高可达20V。低导通电阻有助于在大电流工作时降低功耗与温升，提升整体能效。其电气特性适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够在保持稳定性能的同时支持紧凑型电路设计。
- 商品型号
- NTMFS4744NT3G-HXY
- 商品编号
- C53263085
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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