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NTMFS4744NT3G-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为50A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDS(ON)为6.5毫欧，栅源电压VGS最高可达20V。低导通电阻有助于在大电流工作时降低功耗与温升，提升整体能效。其电气特性适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够在保持稳定性能的同时支持紧凑型电路设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4744NT3G-HXY
商品编号: C53263085
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.139克(g)

商品参数

参数完善中