NTMFS4849NT1G-HXY

NTMFS4849NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效与温升控制。适用于大功率电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效开关性能的电子设备中，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4849NT1G-HXY

商品编号

C53263079

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.141克(g)