NTMFS4839NHT3G-HXY

NTMFS4839NHT3G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。适用于高电流、高效率要求的电源管理模块、电池供电系统及各类开关模式电源应用。其电气特性支持快速开关操作，在高频电路中可维持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4839NHT3G-HXY

商品编号

C53263081

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)