NTMFS4837NT1G-HXY

NTMFS4837NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧，栅源电压（VGS）最高可达20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适合在高电流、高频开关的应用中使用，如电源模块、电机驱动及高效能计算设备中的功率分配系统。器件在30V电压平台下可维持稳定运行，兼顾高效率与热性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4837NT1G-HXY

商品编号

C53263075

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.144克(g)