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NTTFS4823NTAG-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流，漏源击穿电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减少导通损耗，在高频率开关应用中表现出良好的能效特性。适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换、同步整流及负载开关等电路，能够在紧凑布局下维持稳定工作性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTTFS4823NTAG-HXY
商品编号: C53263067
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.069克(g)

商品参数

参数完善中