NTD4806NT4G-HXY

NTD4806NT4G-HXY

描述

该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A，漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）典型值为5毫欧。在高电流工作条件下，低导通电阻有助于显著降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、直流-直流转换器及各类高效能电子设备中的功率管理模块，能够在紧凑电路布局中实现稳定可靠的开关性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTD4806NT4G-HXY

商品编号

C53263071

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.379克(g)