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NVD4809NT4G-HXY
NVD4809NT4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。在中高电流应用场景中，其较低的导通电阻有助于有效抑制导通损耗，提升整体能效。适用于开关电源、电池供电系统及各类高效功率转换电路，能够在高频操作下维持良好的热稳定性和开关特性，满足对空间和效率有要求的电子设计需求。
- 商品型号
- NVD4809NT4G-HXY
- 商品编号
- C53263072
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.392克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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