NTMFS4839NHT1G-HXY

NTMFS4839NHT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于减少功率损耗，适用于高效率电源转换、电池供电设备及大电流开关电路等应用。器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4839NHT1G-HXY

商品编号

C53263073

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)