BSC886N03LSGATMA1-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换与开关应用，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力与较低的热阻特性，可在紧凑布局中稳定运行，适合用于各类高频率、高效率的电子电路设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC886N03LSGATMA1-HXY
商品编号: C53263070
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.156克(g)

商品参数