BSC886N03LSGATMA1-HXY

BSC886N03LSGATMA1-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换与开关应用，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力与较低的热阻特性，可在紧凑布局中稳定运行，适合用于各类高频率、高效率的电子电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC886N03LSGATMA1-HXY

商品编号

C53263070

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.156克(g)