温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTTFS4823NTWG-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗和温升，适用于高效率电源管理、同步整流、电池保护及各类中高功率开关电路。器件在高频操作下仍能保持良好的动态性能，适合对空间和热性能有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- NTTFS4823NTWG-HXY
- 商品编号
- C53263068
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- NTMFS4839NT1G-HXY
- BSC886N03LSGATMA1-HXY
- NTD4806NT4G-HXY
- NVD4809NT4G-HXY
- NTMFS4839NHT1G-HXY
- NTD4810NHT4G-HXY
- NTMFS4837NT1G-HXY
- NTMFS4744NT1G-HXY
- STL12N3LLH5-HXY
- NTD4970NT4G-HXY
- NTMFS4849NT1G-HXY
- BSZ058N03MSGATMA1-HXY
- NTMFS4839NHT3G-HXY
- NTMFS4851NT1G-HXY
- BSC079N03SG-HXY
- IRFH7921TRPBF-HXY
- NTMFS4744NT3G-HXY
- IRFH5304TRPBF-HXY
- ISL9N306AD3ST-HXY
- RJK03M9DNS-00#J5-HXY
- STS14N3LLH5-HXY