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IPD040N03LF2SATMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3毫欧。其高电流承载能力和极低的导通损耗使其适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景。器件结构支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能保持稳定性能，适合用于各类高功率密度的电子系统中，如服务器电源、通信设备及便携式储能装置等。
- 商品型号
- IPD040N03LF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263053
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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