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SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热设计。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景，如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等，在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。
- 商品型号
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C53263054
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.499nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 499pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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