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SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）支持100A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至2.5毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热设计。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换场景，如服务器供电模块、高性能计算设备及便携式大功率储能系统等，在高频开关条件下仍可维持稳定工作特性。
- 商品型号
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C53263054
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
参数完善中
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