SISA10BDN-T1-GE3-HXY

SISA10BDN-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升，适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。其电气特性有利于提升系统整体效率，并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SISA10BDN-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263055

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)