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SISA10BDN-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升，适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。其电气特性有利于提升系统整体效率，并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。
- 商品型号
- SISA10BDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263055
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.499nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 430pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 499pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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