AONS36308

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和60A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧，栅源电压（VGS）额定最大值为20V。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流应用场景中提升能效表现。适用于电源转换、电池管理系统、电机驱动及大电流开关电路等场合，能够有效支持高频开关操作并维持较低温升，满足对功率密度和热性能有较高要求的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AONS36308

商品编号

C53263059

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)