NTMFS4943NT1G-HXY

NTMFS4943NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、80A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其低导通电阻与高电流能力相结合，适用于高效率电源转换、大电流负载开关、同步整流以及电池供电系统中的功率管理等应用。器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和温升，有助于提升整体电路的能效与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTMFS4943NT1G-HXY

商品编号

C53263060

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.158克(g)