温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS4943NT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）、80A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其低导通电阻与高电流能力相结合，适用于高效率电源转换、大电流负载开关、同步整流以及电池供电系统中的功率管理等应用。器件在高频开关条件下仍能保持较低的功耗和温升，有助于提升整体电路的能效与可靠性。
- 商品型号
- NTMFS4943NT1G-HXY
- 商品编号
- C53263060
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- NTD4959NHT4G-HXY
- NTD4979NT4G-HXY
- NTD4810NT4G-HXY
- NTD4808NT4G-HXY
- NTMFS4C10NT1G-001-HXY
- NTD4806NAT4G-HXY
- NTTFS4823NTAG-HXY
- NTTFS4823NTWG-HXY
- NTMFS4839NT1G-HXY
- BSC886N03LSGATMA1-HXY
- NTD4806NT4G-HXY
- NVD4809NT4G-HXY
- NTMFS4839NHT1G-HXY
- NTD4810NHT4G-HXY
- NTMFS4837NT1G-HXY
- NTMFS4744NT1G-HXY
- STL12N3LLH5-HXY
- NTD4970NT4G-HXY
- NTMFS4849NT1G-HXY
- BSZ058N03MSGATMA1-HXY
- NTMFS4839NHT3G-HXY