NVMFS4C03NWFET1G-HXY

NVMFS4C03NWFET1G-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及仅1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)），在栅源电压（VGS）为20V时可实现极低的导通损耗。其超低阻抗特性显著减少功率耗散，适用于对效率和热性能要求严苛的大电流开关场景，如高性能电源转换、电机控制及高密度功率模块等应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS4C03NWFET1G-HXY

商品编号

C53263056

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.149克(g)