温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR402DP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频开关场合，如服务器电源、便携式储能设备及多相电源转换模块。器件在保证高电流处理能力的同时，维持良好的热稳定性和开关响应特性。
- 商品型号
- SIR402DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263057
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- RS6E122BGTB1-HXY
- AONS36308
- NTMFS4943NT1G-HXY
- NTD4959NHT4G-HXY
- NTD4979NT4G-HXY
- NTD4810NT4G-HXY
- NTD4808NT4G-HXY
- NTMFS4C10NT1G-001-HXY
- NTD4806NAT4G-HXY
- NTTFS4823NTAG-HXY
- NTTFS4823NTWG-HXY
- NTMFS4839NT1G-HXY
- BSC886N03LSGATMA1-HXY
- NTD4806NT4G-HXY
- NVD4809NT4G-HXY
- NTMFS4839NHT1G-HXY
- NTD4810NHT4G-HXY
- NTMFS4837NT1G-HXY
- NTMFS4744NT1G-HXY
- STL12N3LLH5-HXY
- NTD4970NT4G-HXY