SIR402DP-T1-GE3-HXY

SIR402DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频开关场合，如服务器电源、便携式储能设备及多相电源转换模块。器件在保证高电流处理能力的同时，维持良好的热稳定性和开关响应特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR402DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53263057

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.16克(g)