DMTH3004LFG-7-HXY

DMTH3004LFG-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。在高频率开关操作中，该MOSFET可维持较低的温升，适合用于紧凑型电源模块、便携式设备供电系统以及各类需要高效能量转换的电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH3004LFG-7-HXY

商品编号

C53263047

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.07克(g)