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SISA18BDN-T1-GE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。30V的耐压水平适用于多种中低压电源架构，在开关电源、电池供电设备、电机控制及高效能电子负载等应用中，能够实现稳定可靠的开关性能和良好的热表现。
- 商品型号
- SISA18BDN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263051
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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