SIRA06DDP-T1-UE3-HXY

SIRA06DDP-T1-UE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其超低导通电阻有效降低了导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较低温升。适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换、电机驱动及高功率负载开关等场景，尤其适合需要高密度布局与高效能表现的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIRA06DDP-T1-UE3-HXY

商品编号

C53263052

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.149克(g)