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ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，同时30V的耐压等级适配多种中低压应用场景。该器件适用于开关电源、便携式储能设备、电机驱动及各类高效率功率转换系统，能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
- 商品型号
- ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263050
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 14.285714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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