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NVMFS4C308NWFT1G-HXY
NVMFS4C308NWFT1G-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关电路等场景。器件结构优化了开关特性，适合在需要快速响应与高效能表现的电子系统中使用。
- 商品型号
- NVMFS4C308NWFT1G-HXY
- 商品编号
- C53263045
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
参数完善中
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