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ISC052N03LF2SATMA1-HXY
ISC052N03LF2SATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，适合对能效和空间布局有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263046
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
参数完善中
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