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ISC052N03LF2SATMA1-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高效率、大电流的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场合。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能和稳定性，适合对能效和空间布局有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263046
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 814pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 498pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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