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RS1E321GNTB1-HXY
RS1E321GNTB1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为150A，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻有助于显著减少功率损耗，适用于对效率和热管理要求较高的大电流开关应用，如电源转换、电机驱动及高密度功率模块。器件在高频工作条件下仍能保持良好的开关特性，适合需要高可靠性和稳定性能的电子系统。
- 商品型号
- RS1E321GNTB1-HXY
- 商品编号
- C53263044
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
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