温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RQ3E160ADTB1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻、低栅极电荷，适用于电池保护和开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。凭借极低的导通损耗，该器件适用于高效率、大电流的电源转换系统，如开关电源、电池供电设备及电机驱动等场景。其优异的导通特性和高电流承载能力有助于提升系统整体能效，并在高频开关应用中保持稳定性能。
- 商品型号
- RQ3E160ADTB1-HXY
- 商品编号
- C53263038
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.092克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.088nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 209pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 277pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- SI7386DP-T1-GE3-HXY
- RS1E281BNTB1-HXY
- RS1E301GNTB1-HXY
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NT1G-HXY
- RS1E321GNTB1-HXY
- NVMFS4C308NWFT1G-HXY
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- DMTH3004LFG-7-HXY
- SIS472ADN-T1-GE3-HXY
- DMT34M5LFVW-7-HXY
- ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
- SISA18BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
- IPD040N03LF2SATMA1-HXY
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- SISA10BDN-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NWFET1G-HXY
- SIR402DP-T1-GE3-HXY
- RS6E122BGTB1-HXY
- AONS36308