RQ3E160ADTB1-HXY

RQ3E160ADTB1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。凭借极低的导通损耗，该器件适用于高效率、大电流的电源转换系统，如开关电源、电池供电设备及电机驱动等场景。其优异的导通特性和高电流承载能力有助于提升系统整体能效，并在高频开关应用中保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RQ3E160ADTB1-HXY

商品编号

C53263038

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.092克(g)