温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS1E281BNTB1-HXY
RS1E281BNTB1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源驱动电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)显著降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持高效能表现。适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高效率开关操作的电子设备中，能够有效提升系统整体性能与热管理能力。
- 商品型号
- RS1E281BNTB1-HXY
- 商品编号
- C53263040
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- RS1E301GNTB1-HXY
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NT1G-HXY
- RS1E321GNTB1-HXY
- NVMFS4C308NWFT1G-HXY
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- DMTH3004LFG-7-HXY
- SIS472ADN-T1-GE3-HXY
- DMT34M5LFVW-7-HXY
- ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
- SISA18BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
- IPD040N03LF2SATMA1-HXY
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- SISA10BDN-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NWFET1G-HXY
- SIR402DP-T1-GE3-HXY
- RS6E122BGTB1-HXY
- AONS36308
- NTMFS4943NT1G-HXY
- NTD4959NHT4G-HXY