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RS1E301GNTB1-HXY
RS1E301GNTB1-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流应用中保持较高的能效和较低的温升。适用于高效率电源转换、电池充放电控制、电动工具驱动以及对功率处理能力和热性能有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- RS1E301GNTB1-HXY
- 商品编号
- C53263041
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
参数完善中
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