温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS1E301GNTB1-HXY
N沟道 30V 150A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流应用中保持较高的能效和较低的温升。适用于高效率电源转换、电池充放电控制、电动工具驱动以及对功率处理能力和热性能有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- RS1E301GNTB1-HXY
- 商品编号
- C53263041
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NT1G-HXY
- RS1E321GNTB1-HXY
- NVMFS4C308NWFT1G-HXY
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- DMTH3004LFG-7-HXY
- SIS472ADN-T1-GE3-HXY
- DMT34M5LFVW-7-HXY
- ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
- SISA18BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
- IPD040N03LF2SATMA1-HXY
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- SISA10BDN-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NWFET1G-HXY
- SIR402DP-T1-GE3-HXY
- RS6E122BGTB1-HXY
- AONS36308
- NTMFS4943NT1G-HXY
- NTD4959NHT4G-HXY
- NTD4979NT4G-HXY
- SI7634BDP-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NT1G-HXY
- RS1E321GNTB1-HXY
- NVMFS4C308NWFT1G-HXY
- ISC052N03LF2SATMA1-HXY
- DMTH3004LFG-7-HXY
- SIS472ADN-T1-GE3-HXY
- DMT34M5LFVW-7-HXY
- ISZ056N03LF2SATMA1-HXY
- SISA18BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
- IPD040N03LF2SATMA1-HXY
- SQS124ELNW-T1_GE3-HXY
- SISA10BDN-T1-GE3-HXY
- NVMFS4C03NWFET1G-HXY
- SIR402DP-T1-GE3-HXY
- RS6E122BGTB1-HXY
- AONS36308
- NTMFS4943NT1G-HXY
- NTD4959NHT4G-HXY
- NTD4979NT4G-HXY