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SI7386DP-T1-GE3-HXY
SI7386DP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5.7毫欧。其低RDS(ON)有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和可靠性。适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制场景。
- 商品型号
- SI7386DP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263039
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
参数完善中
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