DMT3006LFVQ-7-HXY

DMT3006LFVQ-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及最大20V的栅源驱动电压（VGS）。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率，同时支持较高的开关频率。适用于对能效和热管理有要求的电源转换、电池供电设备及各类高效电子系统中的功率开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT3006LFVQ-7-HXY

商品编号

C53263028

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)