NVMFS4C308NT1G-HXY

NVMFS4C308NT1G-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.3毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统能效，适用于对电流承载能力和开关效率要求较高的电源管理、电机驱动及各类高密度功率转换场景。器件结构设计支持快速开关特性，适合高频操作环境下的稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVMFS4C308NT1G-HXY

商品编号

C53263036

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.13克(g)