STL58N3LLH5-HXY

STL58N3LLH5-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要高效功率切换的电子设备中。器件支持快速开关操作，适合对热性能和效率有较高要求的应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STL58N3LLH5-HXY

商品编号

C53263037

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.139克(g)