STL58N3LLH5-HXY

N沟道 30V 60A

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要高效功率切换的电子设备中。器件支持快速开关操作，适合对热性能和效率有较高要求的应用场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STL58N3LLH5-HXY
商品编号: C53263037
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.139克(g)

商品参数