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SQS482EN-T1_BE3-HXY

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描述: 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其电气特性适合用于中等功率的开关应用，在导通状态下可有效控制功耗与温升。由于具备较低的RDS(on)和适中的电流能力，该器件适用于高效电源转换、电池供电设备中的功率开关以及同步整流等电路拓扑，能够在有限的散热条件下维持稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQS482EN-T1_BE3-HXY
商品编号: C53263032
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.068克(g)

商品参数

参数完善中