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SQS482EN-T1_BE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其电气特性适合用于中等功率的开关应用，在导通状态下可有效控制功耗与温升。由于具备较低的RDS(on)和适中的电流能力，该器件适用于高效电源转换、电池供电设备中的功率开关以及同步整流等电路拓扑，能够在有限的散热条件下维持稳定运行。
- 商品型号
- SQS482EN-T1_BE3-HXY
- 商品编号
- C53263032
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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