DMT3006LFG-7-HXY

DMT3006LFG-7-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效，适用于中等功率的电源管理、电池保护电路以及高效率DC-DC转换器等应用。在高频开关操作中，器件展现出良好的动态特性与热稳定性，适合对体积和效率有较高要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMT3006LFG-7-HXY

商品编号

C53263030

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.074克(g)