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IPD040N03LGATMA1-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3毫欧。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源管理场景，其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效。由于具备高电流承载能力和较低的导通压降，可广泛用于各类直流开关电路、电池管理系统及高效同步整流拓扑中，满足紧凑型设计对空间与散热的严苛需求。
- 商品型号
- IPD040N03LGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53263031
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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