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SI4420BDY-T1-GE3-HXY
SI4420BDY-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其适中的电流承载能力和较低的导通损耗，使其适用于中等功率的开关应用。在需要高效能与紧凑布局的电子系统中，如便携式设备电源管理、小型电机驱动及直流-直流转换电路中，能够提供稳定可靠的性能表现。
- 商品型号
- SI4420BDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263019
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122克(g)
商品参数
参数完善中
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