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SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在典型工作条件下导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。其低导通电阻有助于降低功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类高电流开关电路。器件结构支持快速开关操作，在紧凑型电子设备中可有效提升能效与空间利用率。
- 商品型号
- SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263021
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
参数完善中
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