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SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
N沟道 30V 60A
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在典型工作条件下导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。其低导通电阻有助于降低功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类高电流开关电路。器件结构支持快速开关操作，在紧凑型电子设备中可有效提升能效与空间利用率。
- 商品型号
- SIRA88BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263021
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 59W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 267pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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