RS1E170GNTB-HXY

RS1E170GNTB-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电池供电系统及中低电压开关应用。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合对热性能和功率密度有较高需求的电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RS1E170GNTB-HXY

商品编号

C53263002

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.161224克(g)