温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIS472DN-T1-GE3-HXY
SIS472DN-T1-GE3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为7.5毫欧。在典型工作条件下，其低导通电阻有助于有效降低功率损耗，提升系统效率。适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的电源转换、电池管理系统以及各类高效能电子设备中的功率控制环节。器件结构设计兼顾了热稳定性和开关性能，适合对体积与效率有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- SIS472DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263005
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- RQ3E180GNTB-HXY
- DMT35M7LFV-7-HXY
- PXN5R4-30QLJ-HXY
- FDMC7678-L701-HXY
- CSD17552Q3A-HXY
- DMN3009SFGQ-7-HXY
- RQ3E100BNTB1-HXY
- RQ3E180AJTB1-HXY
- RJK03M5DNS-00#J5-HXY
- NTMFS4C028NT1G-HXY
- DMN39M1LFVW-7-HXY
- DMT3009LFVWQ-7-HXY
- DMT3006LFV-13-HXY
- DMT3006LFVQ-7-HXY
- DMT3003LFG-7-HXY
- DMT3006LFG-7-HXY
- SQS482EN-T1_BE3-HXY
- NVTFS4C08NTWG-HXY
- RQ3E160ADTB1-HXY
- DMTH3004LFG-7-HXY
- SIS472ADN-T1-GE3-HXY