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SIS472DN-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为7.5毫欧。在典型工作条件下，其低导通电阻有助于有效降低功率损耗，提升系统效率。适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的电源转换、电池管理系统以及各类高效能电子设备中的功率控制环节。器件结构设计兼顾了热稳定性和开关性能，适合对体积与效率有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- SIS472DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C53263005
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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