FDMC7678-L701-HXY

FDMC7678-L701-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗，提升整体能效。器件结构设计优化了开关特性和热稳定性，适用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类中低压开关电路中，能够有效支持频繁启停和高负载运行场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDMC7678-L701-HXY

商品编号

C53263011

商品封装

DFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.071克(g)